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離子源電源的應(yīng)用及原理
時間: 2024-5-17 瀏覽次數(shù):100

離子束輔助鍍膜是近些年出現(xiàn)的新技術(shù),在磁場和電場的作用下,閉環(huán)遷移的電子與氣體碰撞放電形成離子,電場將離子引出加速發(fā)射,離子帶有能量,具有能量的離子與電子聚集形成等離子體。

因普通物理清洗、烘干方式無法完全去除被鍍工件表面污染物,而進行鍍膜前,徹底的清潔處理至關(guān)重要,則使用該技術(shù),借助等離子體深度清洗、轟擊、刻蝕被鍍工件,清除表面結(jié)合力弱的分子,并活化基體,從而提高膜層結(jié)合力,改善晶體結(jié)構(gòu)。

因其成膜原子能量低、膜層附著力差但沉積速率快、鍍制膜系廣泛、可優(yōu)化薄膜結(jié)構(gòu)改善薄膜生長等特點,該技術(shù)一般不用于鍍制膜層,只用于清洗、轟擊、輔助沉積等。

在實際中,我們通過離子源電源實現(xiàn)該技術(shù),除上述特點外,離子源電源還能提升氣體離化率和活化度,與金屬離子高效結(jié)合。重復(fù)性及一致性高,適用于工業(yè)化批量生產(chǎn)。因其薄膜光學(xué)特性還可用于光學(xué)、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

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派立特生產(chǎn)的離子源電源采用進口IGBT搭配先進的MCU,PWM脈寬調(diào)制技術(shù),為客戶提供了大范圍連續(xù)平穩(wěn)可調(diào)的電壓、電流、占空比,控制精度高。理性的電壓陡降特性能夠有效地抑制離子源表面的打火現(xiàn)象。極佳的負載匹配能力,既能保證清洗工藝的穩(wěn)定性,還能提高清洗速度。

此外,我司的離子源電源為脈沖輸出,標(biāo)準(zhǔn)電源電壓峰值有2000V3000V可選。針對寬縫、窄縫不同工藝要求,我們?yōu)榭蛻籼峁┝撕懔鳌⒑銐翰煌ぷ髂J降碾娫?。通訊接口為本地控制、模擬量和數(shù)字量三種可選,操作更加便捷。當(dāng)然,美觀、輕巧、高穩(wěn)定性等特點,一直是派立特對電源的基礎(chǔ)要求,期待您的咨詢。

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